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Dispositifs ultimes à désertion totale sur substrat isolant pour applications en radio fréquence // Advanced fully-depleted Silicon-on-insulator devices for Radio-Frequency applications

ABG-123871 Sujet de Thèse
15/05/2024 Financement public/privé
CEA Université Grenoble Alpes Laboratoire des Transistors Avancés
Grenoble
Dispositifs ultimes à désertion totale sur substrat isolant pour applications en radio fréquence // Advanced fully-depleted Silicon-on-insulator devices for Radio-Frequency applications
  • Matériaux
Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique / Défis technologiques / Electronique et microélectronique - Optoélectronique / Sciences pour l’ingénieur

Description du sujet

La thèse sera effectuée dans le cadre du projet NEXTGEN visant à développer la prochaine génération de dispositifs en silicium sur isolant pour les futures technologies CMOS afin de renforcer la compétitivité européenne dans le secteur de la microélectronique.

Notre laboratoire est chargé d'explorer, de planifier, et de piloter le développement des dispositifs actifs RF: c'est une formidable opportunité de mener de la recherche en utilisant des instrumentations a l’état de l’art tout en travaillant en étroite collaboration avec nos partenaires industriels.

Pendant votre séjour au CEA-LETI, vous vous attendrez à vous engager dans une gamme de tâches d'ingénierie qui peuvent comprendre:
- Effectuer une estimation analytique des propriétés des dispositifs et évaluer l'impact des choix technologiques sur les performances des dispositifs electroniques
- Effectuer et/ou analyser des simulations pour prédire la performance attendue ou obtenir des informations sur le comportement des dispositifs.
- L’exploration de données sur une vaste gamme de mesures : saisir les informations pertinentes et identifier les tendances ou les corrélations
- Quand nécessaire, passer de longues périodes dans le laboratoire pour effectuer ou participer à des campagnes de caractérisations de dispositifs RF.
En fonction des attendus ou de votre profil, les sujets pourront être discutés dynamiquement.

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The PhD will be performed in the NEXTGEN project aimed at developing the next generation of Silicon-on-insulator devices. Our laboratory is driving the development of the RF active devices: this is a great opportunity to carry out fundamental research using state-of-the art processing equipment and characterization instruments while working in close collaboration with our industrial partners.

you will expected to engage in tasks encompassing:
- perform back-of the-envelope estimation of device properties and assess performace impact of technological choices
- Perform and/or analyze TCAD simulations to gain insight in the RF device behaviour
- data-mining on engineering measurements: grasp the relevant information and identify trends or correlations
- perform extensive periods of time in the lab to conduct or participate in on-wafer RF characterization champaign.
Based on you profile or expectations, above tasks may be dynamically rebalanced during the thesis.


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Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire : Laboratoire des Transistors Avancés
Date de début souhaitée : 01-09-2024
Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
URL : https://www.cea.fr/cea-tech/leti/Pages/actualites/News/nextgen-inventer-futures-generations-puces-electroniques-competitivite-francaise.aspx

Nature du financement

Financement public/privé

Précisions sur le financement

Présentation établissement et labo d'accueil

CEA Université Grenoble Alpes Laboratoire des Transistors Avancés

Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité

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