Où docteurs et entreprises se rencontrent
Menu
Connexion

Vous avez déjà un compte ?

Nouvel utilisateur ?

Approche mixte pour les hétérostructures 2D latérales

ABG-93640 Stage master 2 / Ingénieur 3 mois 600 - 875 Euros
21/09/2020
Logo de
Laboratoire d'Etude des Microsructures (CNRS/ONERA)
Châtillon Ile-de-France France
  • Physique
  • Chimie
  • Matériaux
heterostructures, 2D, Simulation, Modelisation

Établissement recruteur

Créé en 1988, le LEM est une unité mixte de recherche CNRS-ONERA, regroupant des permanents de l'ONERA, du CNRS et de l'Université. Côté CNRS, l'unité est rattachée à l'Institut de Physique (INP), avec un rattachement secondaire à l'Institut de Chimie (INC). Côté ONERA, le LEM est une unité du département Matériaux et Structures (DMAS). Enfin, le LEM est rattaché à l'Université Paris Saclay et est membre de deux LabEx (LaSIPS et NanoSaclay).

Les recherches menées visent principalement à étudier les microstructures se développant dans les matériaux ainsi que la modélisation et la caractérisation des systèmes de faible dimension. En plus de ses collaborations externes avec le monde académique et industriel, le LEM interagit fortement avec d'autres Unités et Départements de l'ONERA avec l'ambition de développer et d'optimiser les propriétés des matériaux pour l'aéronautique et l'espace. Le LEM est actuellement situé sur le site ONERA de Châtillon. Un déménagement est prévu à moyen terme sur le Plateau de Saclay pour rejoindre le site ONERA de Palaiseau.

Description

Le contrôle à l’échelle nanométrique de la composition et de la morphologie des matériaux a permis l’émergence de nouvelles propriétés structurales, électroniques et chimiques, qui sont à la base de nombreux progrès technologiques récents. Parmi les nanostructures, les matériaux 2D forment une classe constituée par des matériaux cristallisant en couches d’épaisseur atomique. Depuis l’envol du graphène (Gr) dans les années 2000, la famille des matériaux 2D s’est enrichie de nouveaux éléments comme le nitrure de bore hexagonal (hBN) ou des chalcogénures.
En vertu de leur infime épaisseur, les matériaux 2D présentent souvent des propriétés électroniques très différentes de celles de leur homologues massifs. En outre, celles-ci sont fortement influencées par l’interaction avec l’environnement proche, par exemple, par des modifications du support du matériau 2D ou de son épaisseur. Les hétérostructures 2D latérales consistent à connecter deux matériaux 2D différents par les bords, permettant ainsi de combiner plusieurs propriétés dans un même système bidimensionnel. Evidemment, les propriétés de ces structures découlent des effets d'interface qui ont lieu dans le bord des feuillets connectés.
Dans ce contexte, la famille d’hétérostructures considérée dans ce stage comportera des feuilles de hBN et/ou de Gr/ Pour étudier d’un point de vue théorique ces systèmes, nous allons élaborer une approche mixte, qui combine des développements analytiques et numériques de type liaisons fortes à des simulations ab-initio. Ces dernières seront faites sur des systèmes simples de référence, afin d’établir une base quantitative pour la paramétrisation des modèles liaisons fortes. Ainsi, l’étude de systèmes de plus grand taille et avec des défauts aux interfaces deviendra possible en liaisons fortes.

Profil

Niveau requis : étudiant en M2.

Compétences : Bonne connaissance de la physique de la matière condensée et quantique ainsi qu’un goût prononcé pour la simulation numérique.

Prise de fonction

Dès que possible
Partager via
Postuler
Fermer

Vous avez déjà un compte ?

Nouvel utilisateur ?

Besoin d'informations ?

Vous souhaitez recevoir une ou plusieurs lettres d’information de l’ABG. Chaque mois des actualités, des offres, des outils, un agenda…

item1
Ils nous font confiance