Transistor à effet de champ à canal oxyde semi-conducteur: fonctions synaptiques multi-niveaux et neurones analogiques // Field Effect Transistor with Oxide Semiconductor Channel: Multi-Level Synaptic Functions and Analog Neurons

Cette thèse passionnante vous invite à plonger au cœur d’un domaine révolutionnaire : les neurones et synapses basés sur des transistors 2T0C (Deux Transistors, Zéro Condensateur) de type BEOL FET (Back-End-Of-Line Field Effect Transistor), une approche innovante qui pourrait transformer l’informatique neuromorphique.
En tant que doctorant, vous serez à l’avant-garde de la recherche, à l’interface entre technologies avancées des semi-conducteurs et architectures inspirées du cerveau. Vous explorerez comment ces circuits neuronaux innovants peuvent reproduire les fonctions synaptiques et améliorer l’efficacité du traitement de l’information.

Tout au long de ce projet, vous serez impliqué dans la conception et la caractérisation expérimentale de circuits neuronaux 2T0C de dernière génération, en utilisant des outils et techniques à la pointe de la technologie.
Vous collaborerez avec une équipe dynamique et pluridisciplinaire d’ingénieurs et de chercheurs, pour relever des défis passionnants liés aux performances des dispositifs et à l’optimisation énergétique.

Votre travail inclura une caractérisation approfondie des dispositifs et circuits BEOL FET. Vous aurez l’opportunité de proposer, spécifier et concevoir de nouvelles architectures de lecture mémoire, permettant d’explorer des comportements synaptiques multi-niveaux en vue de la mise en œuvre de systèmes neuromorphiques de nouvelle génération, plus compacts et plus économes en énergie.

Rejoignez-nous pour cette opportunité unique de repousser les limites de la technologie et de participer à une aventure scientifique capable de redéfinir le futur de l’informatique ! Vos contributions pourraient ouvrir la voie à des avancées majeures dans les systèmes inspirés du cerveau et laisser une empreinte durable dans ce domaine en pleine expansion.
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This thrilling PhD position invites you to dive into the groundbreaking field of 2T0C (Two-Transistor, Zero-Capacitor) BEOL FET (Back-End-of-Line Field-Effect Transistor) based neurons and synapses, a revolutionary approach poised to transform neuromorphic computing. As a PhD student, you will be at the forefront of research that bridges advanced semiconductor technology with brain-inspired architectures, exploring how these innovative neuron circuits can emulate synaptic functions and enhance data processing efficiency.
Throughout this project, you will engage in hands-on design and characterization of cutting-edge 2T0C neuron circuits, utilizing state-of-the-art tools and techniques. You’ll collaborate with a dynamic, multidisciplinary team of engineers and researchers, tackling exciting challenges related to device performance and energy optimization.
Your work will involve extensive characterization of BEOL FET devices and circuits. You will have the opportunity to propose, specify and design new memory read architectures, that enables the exploration of multi-level synaptic behaviors toward the implementation of more energy and area efficient next-generation neuromorphic systems.
Join us for this unique opportunity to push the boundaries of technology and be part of a transformative journey that could redefine the future of computing! Your contributions could pave the way for breakthroughs in brain-inspired systems, making a lasting impact on the field.

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Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire : Laboratoire de Composants Mémoires
Date de début souhaitée : 01-10-2025
Ecole doctorale : Sciences pour l’Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (SIMPMN)
Directeur de thèse : PORTAL Jean-Michel
Organisme : IM2NP
Laboratoire : Equipe memoires

Public/private mixed funding

Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité

master 2 conception de circuits intégrés