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Modélisation et Fabrication de réseaux linéaires de photodétecteurs ultrarapides pour la génération et la détection d'ondes THz. // Modeling and Fabrication of Linear Arrays of Ultrafast Photodetectors for THz Wave Generation and Detection.

ABG-136240
ADUM-71705
Thesis topic
2026-03-05 Public funding alone (i.e. government, region, European, international organization research grant)
Université de Lille
Villeneuve d'Ascq - Les Hauts de France - France
Modélisation et Fabrication de réseaux linéaires de photodétecteurs ultrarapides pour la génération et la détection d'ondes THz. // Modeling and Fabrication of Linear Arrays of Ultrafast Photodetectors for THz Wave Generation and Detection.
  • Computer science
Photonique , Terahertz, millimeter waves, Electronique rapide, semiconducteur
Photonics, Terahertz, millimeter waves, High Speed Electronics, semiconductors

Topic description

Le domaine des ondes térahertz (THz) connaît un développement rapide en raison de ses applications potentielles en imagerie, spectroscopie, télécommunications à très haut débit et détection. Parmi les différentes technologies existantes, les sources THz basées sur le photomélange constituent une solution particulièrement attractive car elles fonctionnent en régime continu, à température ambiante et offrent une large bande de fonctionnement. Cette technique repose sur la détection optoélectronique du battement de fréquence généré par la superposition de deux lasers infrarouges, permettant une conversion de fréquence depuis l'infrarouge (~300 THz) vers le domaine THz (~1 THz).

Cependant, la puissance générée par les photomélangeurs reste limitée, typiquement de l'ordre de quelques dizaines de microwatts à 1 THz. Cette limitation provient principalement du compromis entre la réduction de la capacité électrique des photodétecteurs, qui impose des dimensions très faibles, et la nécessité d'obtenir un photocourant élevé afin de générer une puissance THz significative.

Une approche prometteuse pour dépasser cette limitation consiste à utiliser des réseaux de photodétecteurs ultrarapides permettant l'addition cohérente des courants générés par plusieurs composants élémentaires. Ces architectures permettent d'augmenter le courant de saturation et la puissance générée tout en conservant une large bande passante.

L'objectif de cette thèse est de concevoir, modéliser, fabriquer et caractériser des réseaux linéaires de photodétecteurs ultrarapides destinés à la génération et à la détection d'ondes THz. Des méthodes analytiques basées sur les matrices de transfert seront d'abord utilisées afin d'établir des règles de conception optimales. Des simulations électromagnétiques 3D seront ensuite réalisées afin de concevoir un réseau de huit photodétecteurs. Les dispositifs seront fabriqués sur les plateformes de micro-fabrication de l'IEMN puis caractérisés optiquement et électriquement jusqu'à 500 GHz.

Ces travaux devraient permettre de démontrer une nouvelle génération de photodétecteurs THz à très large bande passante (>300 GHz) et à fort courant de saturation, ouvrant la voie à des sources THz compactes et performantes.
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The terahertz (THz) frequency range has attracted growing interest due to its potential applications in imaging, spectroscopy, high-speed wireless communications, and sensing. Among the different THz generation techniques, photomixing is one of the most promising solutions because it operates in continuous-wave regime at room temperature and offers intrinsically broadband operation. Photomixing relies on the optoelectronic detection of the beat frequency generated by the spatial superposition of two infrared lasers, enabling frequency down-conversion from optical frequencies (~300 THz) to the THz range (~1 THz).

However, the output power of photomixers remains limited, typically around a few tens of microwatts at 1 THz. This limitation mainly arises from the trade-off between the small size of the photodetector, required to minimize its electrical capacitance, and the high photocurrent needed to generate significant THz power.

A promising approach to overcome this limitation consists of using arrays of ultrafast photodetectors allowing the coherent addition of the currents generated by several elementary devices. Such architectures can significantly increase the saturation current and output power while preserving a very wide bandwidth.

The objective of this PhD project is to design, model, fabricate, and characterize linear arrays of ultrafast photodetectors for THz wave generation and detection. Analytical modeling based on transfer matrix methods will first be used to establish design rules for optimizing device performance. Then, 3D electromagnetic simulations will be carried out to design an array composed of eight photodetectors. The devices will be fabricated using the microfabrication facilities of IEMN and experimentally characterized using optical and RF measurement platforms up to 500 GHz.

The expected outcome of this work is the demonstration of a new generation of ultrafast photodetectors featuring very large bandwidth (>300 GHz) and high saturation current, enabling compact and efficient THz sources.
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Début de la thèse : 01/10/2026

Funding category

Public funding alone (i.e. government, region, European, international organization research grant)

Funding further details

Concours pour un contrat doctoral

Presentation of host institution and host laboratory

Université de Lille

Institution awarding doctoral degree

Université de Lille

Graduate school

632 ENGSYS Sciences de l'ingénierie et des systèmes

Candidate's profile

Pour cette thèse orienté optoélectronique et physique des ondes, nous recherchons un(e) étudiant(e) ayant suivi un parcours universitaire de type EEA/Electrical Engineering ou physique comportant solide formation en RF/micro-onde/physique des ondes/ Physique des semiconducteurs et qui est motivé(e) par la recherche en physique appliquée.
We are seeking a highly motivated student with a background in Electrical Engineering (EEA) or Physics, with a solid foundation in RF/microwave engineering, wave physics, and semiconductor physics. The candidate should be passionate about applied physics research with a focus on optoelectronics and wave physics
2026-05-06
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