Introduction de matériaux innovants pour la réalisation de contacts pour les nœuds avancés // Introduction of innovative materials for sub-10nm contact realization

Les développements du module contact dans le cadre de FAMES mettent en évidences les limites atteintes par les dimensionnels adressés. Pour les nœuds sub 10nm, une approche en rupture est nécessaire pour pallier aux problèmes de sélectivité, auto alignement, capa parasite… Cette thèse se positionne sur le développement de nouveaux matériaux à gradient résolvant ces problèmes.

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As part of the FAMES project and the European ChipACT initiative, which aim to ensure France’s and Europe’s sovereignty and competitiveness in the field of electronic nano-components, CEA-LETI has launched the design of new FD-SOI chips. Among the various modules being developed, the fabrication of electrical contacts is one of the most critical modules in the success of advanced node development.
For sub-10 nm node, the contact realization is facing a lot of challenges like punchthrough (due to low etch selectivity during contact etching), voids during metal deposition, self-alignment, and parasitic capacitance. New breakthrough approach has recently been proposed consisting in the deposition of new dielectric films with chemical gradient. This thesis focuses on the development (deposition an etching processes) of new gradient compounds incorporated into SiO2 to address the current issues.

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Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Service : Service des procédés de Patterning
Laboratoire : Laboratoire Gravure
Date de début souhaitée : 01-10-2026
Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Directeur de thèse : POSSEME Nicolas
Organisme : CEA
Laboratoire : DRT/DPFT//LSIT

Public/private mixed funding

Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Service : Service des procédés de Patterning

master 2 Sciences des matériaux, chimie, semi-conducteurs