Conception d'un amplificateur RF de puissance GaN innovant // High Power Innovative GaN Amplifier Conception

Dans son rôle d'expert étatique sur les armes à énergie dirigée électromagnétique, le CEA Gramat souhaite étudier les possibilités de concevoir un amplificateur RF de forte puissance innovant à travers la technologie GaN.
Une première partie de la thèse consistera à évaluer les limitations physiques des composants GaN existant afin de connaitre la puissance maximale qu'ils peuvent délivrer pour une application spécifique.
Dans un second temps en s'appuyant sur les limitations observées, le candidat proposera une architecture innovante d'un composant unitaire afin de repousser ces limites en dehors des zones électriques préconisées (zones de sécurité opérationnelles). En fonction de l'avancement du projet un ou plusieurs prototypes pourrait être développés.


Pôle fr : Direction des Applications Militaires
Pôle en : Military Applications
Département : DEA
Service : DEA
Laboratoire : DEA
Date de début souhaitée : 01-10-2026
Ecole doctorale : Génie Electrique - Electronique - Télécommunications (GEET)
Directeur de thèse : Tartarin Jean-Guy
Organisme : CNRS
Laboratoire : LAAS

Public/private mixed funding

Pôle fr : Direction des Applications Militaires
Pôle en : Military Applications
Département : DEA
Service : DEA

master ou école d'ingénieurs en électronique