Characterisation de jonctions de transistors SOI réalisés à bas budget thermique // JUnction defect characterization of low therMal Budget SOI MoSFET

Rejoignez CEA-Leti et CROMA pour analyser en profondeur les jonctions d'une nouvelle technologie. En effet, nos transistors sont fabriqués sous un budget thermique restreint pour une intégration séquentielle 3D, ce qui rend l'activation des dopants très difficile ! Notre équipe vous soutiendra techniquement et scientifiquement pour mener à bien ce travail. Certaines données sont déjà disponibles et n'attendent que votre analyse.

Au cours de cette thèse, vous aurez l'opportunité de réaliser toutes ces taches:
De l'idée (simulation, bibliographie, TCAD) 20%
Compréhension des processus (implantation, SPER) 10%
Gestion de l'intégration et de la fabrication en salle blanche 10%
Caractérisation (physique et électrique : bruit, DLTS…) 50%
Valorisation (présentations, articles) 10%

Cette thèse offre une chance unique d'être à la pointe de l'innovation technologique et de faire un impact significatif dans le domaine de la SOI avancée. Rejoignez nous et faites le premier pas vers une carrière passionnante dans la recherche et le développement !

Avec un parcours en microélectronique ou en nanotechnologies, vous êtes curieux de l'intégration de nouveaux processus, vous n'avez pas peur des équations et vous avez aimé les cours sur les semi-conducteurs à l'école. Vous voulez résoudre des énigmes complexes et aimez collaborer avec les autres pour trouver des solutions innovantes.
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Join CEA-Leti and CROMA to analyze in depth junctions of a new technology. Indeed, our transistors are fabricated under restricted thermal budget for 3D sequential integration, making dopants activation very challenging! Our team will support you technically and scientifically to conduct this work. Some data are already available and waiting for your analysis.
During this PhD, you will have the opportunity to perform all theses steps:
From the idea (simulation, bibliography, TCAD) 20%
Processes understanding (implantation, SPER) 10%
Integration & cleanroom fabrication management 10%
Characterization (physical & electrical: noise, DLTS…) 50%
Valorization (presentations, article) 10%
This PhD offers a unique chance to be at the forefront of technological innovation and to make a significant impact in the field of advanced SOI. Join us and take the first step towards an exciting career in research and development!

With a background in microelectronics or nanotechnologies, you are curious about integration of new processes, not afraid about equations and liked semiconductors classes at school. You want to solve complex puzzles and enjoy collaborating with others to figure out innovative solutions.

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Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire : Laboratoire des Transistors Avancés
Date de début souhaitée : 01-10-2026
Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Directeur de thèse : RAFHAY Quentin
Organisme : CROMA
Laboratoire : UMR 5130

Financement public/privé

Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité