Stage M2: Développement d’interconnexions latérales à haute densité (RDL) pour l'intégration hétérogène de larges puces électroniques

Dans le cadre de notre collaboration avec IBM, ce stage offre une opportunité unique de contribuer au développement de nouvelles stratégies pour repousser les limites des interconnexions latérales à haute densité (HD-RDL) et de relever les défis de l'intégration hétérogène. L’objectif est de fabriquer de couches RDL à pas ultrafin, afin d'intégrer des puces actives hétérogènes, en visant un ratio ligne/l'espacement (L/S) inférieur à 2 µm.

En tant que stagiaire, vos principales missions seront :

• Réaliser une recherche bibliographique approfondie sur les méthodes de fabrication RDL, leurs propriétés et défis.

• Identifier et sélectionner des films diélectriques organiques prometteurs selon leurs propriétés mécaniques, thermiques, et électriques.

• Développer le procédé complet de micro-fabrication des interconnexions, incluant notamment des étapes de dépôt de couches diélectriques, de lithographie (électronique et optique), gravure plasma et contrôles dimensionnels intermédiaires.

• Caractériser les structures par microscopie électronique à balayage (MEB), mesures électriques et, si applicable, tests de fiabilité (cyclage thermique, humidité, vieillissement).

• Documenter les résultats et assurer un rapportage régulier à l'équipe projet et au partenaire industriel.

• Etudiant (e) en M2  micro-nanotechnologies, chimie, physique ou sciences des matériaux dans un établissement francais 

• Forte capacité d’adaptation, d’autonomie et de travail en équipe

• Goût prononcé pour la conception, le travail expérimental en salle blanche, la recherche et le développement